盖楼比赛 三星将推224层闪存 速度提升30%

如今的3D闪存在业内玩起了盖楼比赛，去年镁光的176层堆栈闪存撼动了三星的领先位置，不过，三星打算在今年追回来，其将在今年底明年初推出第八代V-NAND闪存，堆栈层数首次超过200层，之前传闻是228层，现在的说法是224层，相当于在128层基础上再堆栈96层。

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据悉，三星的224层闪存性能很不错，数据速度提升了30%，同时生产效率也提高了30%。

此外，三星的224层闪存技术难度也很高，之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司，这次的224层则使用了双堆栈技术，技术挑战十分严峻。