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盖楼比赛 三星将推224层闪存 速度提升30%

2022-02-10 07:47:02来源:中关村在线栏目:手机

如今的3D闪存在业内玩起了盖楼比赛,去年镁光的176层堆栈闪存撼动了三星的领先位置,不过,三星打算在今年追回来,其将在今年底明年初推出第八代V-NAND闪存,堆栈层数首次超过200层,之前传闻是228层,现在的说法是224层,相当于在128层基础上再堆栈96层。

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据悉,三星的224层闪存性能很不错,数据速度提升了30%,同时生产效率也提高了30%。

此外,三星的224层闪存技术难度也很高,之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司,这次的224层则使用了双堆栈技术,技术挑战十分严峻。

标签: 三星闪存,224层

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