EUV光刻前的最后疯狂：DDR5内存狂飙 单条1TB不是梦

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快科技7月27日消息，随着制程工艺的进步，DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题，解决办法就是上EUV光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV工艺最后一滴，DDR5内存有望实现单条1TB。

作为第一家推出24Gb核心DDR5的内存公司，美光日前又创造了一个新纪录——推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒，使用的是比前者1α工艺更先进的1β工艺，这也是美光最后的非EUV工艺了，再往后不想上EUV也没招了。

美光没有透露32Gb核心内存颗粒的具体速度，但是这种内存最大的优势就是可以堆栈出单条1TB的内存条，只需要32个8-Hi堆栈即可，现在的24Gb核心还做不到这么大容量。

当然，美光实际上并不会推出这么大的内存条，明年量产32Gb核心之后，首先是单条128GB，还有192GB、256GB，而512GB、1TB的还不在路线图上，2026年前都没戏。

另外，在HBM这条路线上，美光刚推出了HBM3 Gen2（这都什么命名方式，跟骁龙学的），做到了24GB容量，带宽1.2TB/s。

后续还有36GB容量的，2026年之后则是下一代HBM（HBM4？），容量36GB到64GB，带宽1.5到2TB/s以上了。

显存GDDR路线上，2025年会推出GDDR7，频率32Gbps，核心容量16-24Gb，带宽128GB/s以上。