SK海力士开发出业界首款12层堆叠HBM3 DRAM芯片

4 月 20 日消息，SK 海力士官网宣布，再次超越了现有最高性能 DRAM(内存)——HBM3 的技术界限，全球首次实现垂直堆叠 12 个单品 DRAM 芯片，成功开发出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新产品。该公司表示，目前正在向客户提供样品，并进行性能评估。

SK 海力士表示：“继去年 6 月率先量产业界首款 HBM3 之后，公司又成功开发出了内存容量比前一代产品增加 50% 的 24GB 封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品，以满足由 AI 聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”

SK 海力士的工程师通过应用先进的批量回流模压填充(MR-MUF) 技术，提高了新产品的工艺效率和性能稳定性，同时通过硅通孔(TSV) 技术，将单个 DRAM 芯片的厚度降低了 40%，达到了与 16GB 产品相同的堆叠高度水平。

HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次开发出来的一种内存，由于它在实现运行在高性能计算(HPC)系统中的生成型 AI 中起着至关重要的作用，因此受到了内存芯片行业的广泛关注。最新的 HBM3 标准尤其被认为是快速处理大量数据的理想产品，因此其被全球主要科技公司采用的情况越来越多。

SK 海力士已经向多个对最新产品表达了极大期待的客户提供了 24GB HBM3 产品的样品，同时该产品的性能评估也在进行中。

“SK 海力士之所以能够不断开发出一系列超高速和高容量的 HBM 产品，是因为它在后端工艺中运用了领先的技术，”SK 海力士封装测试部门负责人洪相厚说，“公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备工作，以进一步巩固其在 AI 时代尖端 DRAM 市场中的领导地位。”

IT之家注：HBM(High Bandwidth Memory)是一种高价值、高性能的内存，通过垂直连接多个 DRAM 芯片，与传统的 DRAM 产品相比，大幅提高了数据处理速度。HBM DRAM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)的顺序开发。现有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆叠 8 个单品 DRAM 芯片的 16GB。