登陆热线邮箱 设为首页

SK海力士将扩大无锡工厂DDR3/4的产能 消费级DRAM价格难以反弹

2023-05-05 11:09:55来源:cnBeta栏目:业界

去年10月,美国商务部对中国进口18纳米及以下工艺的设备实施半导体限制。根据TrendForce的最新研究,尽管SK hynix的无锡工厂获得了为期一年的生产许可,但地缘政治风险和需求疲软仍然造成该公司在第二季度每月减少约30%的晶圆生产。

TrendForce报告称,SK hynix曾计划将其无锡工厂的主流工艺从1Y nm过渡到1Z nm,减少传统工艺的产出。然而,由于美国禁令的限制,该公司转而选择增加其21纳米生产线的份额,专注于DDR3和DDR4 4Gb产品。SK hynix的长期战略包括将其产能扩张转移回韩国,而无锡工厂则满足中国国内需求和传统工艺的消费类DRAM市场。

DDR3和DDR4 4Gb芯片在SK hynix的整体消费类DRAM出货量中占不到30%。然而,该公司正在扩展其传统生产线,这意味着低密度消费类DRAM的供应将逐渐增加。对中国台湾供应链的分析显示,南亚、华邦和PSMC(协助IC设计公司生产DRAM)都供应DDR3 4Gb;只有南亚提供大规模出货的DDR4 4Gb。三家主要供应商和南亚的DDR3 4Gb的工艺节点约为20纳米。三星目前同时为DDR4 4Gb提供20纳米和1X纳米的工艺节点,并计划在2023年下半年过渡到1Z纳米,在工艺结构上处于领先地位。然而,美光不提供这种特定的芯片密度,而SK hynix和南亚都在20纳米左右。总的来说,其他台湾制造商主要专注于DDR3产品,他们的产品节点仍在25纳米。尽管华邦和PSMC正在开发20纳米工艺,但在大规模生产方面,它们仍然落后于其竞争对手。

由于早期电视库存的消化,需求略有回升,导致SoC订单小幅增加,但市场仍然面临挑战。汽车需求相对稳定,但市场规模仍然有限,网络通信行业对芯片需求的能见度仍然很低。

TrendForce断言,尽管DRAM供应商已经削减了消费类DRAM的产量,但考虑到库存水平,目前的供应和去化状况仍倾向于供过于求。因此,23年第二季度的平均价格应该会下降10-15%。从长远来看,无锡工厂的产量增加可能会给供应商带来额外的压力,使消费类DRAM价格更加难反弹。

标签: 海力士公司 无锡工厂 半导体产能

资讯阅读

NEWS

精彩推送

marvellous